高通即将推出的骁龙895可能采用4nm台积电工艺制造

要闻 2021-06-08 15:01:15

即将推出的高通骁龙 895 SoC 显然将基于 4nm 芯片组制造技术,承载定制自 ARM Cortex v9 代的内核。该提示来自著名的提示者 Ice Universe,他引用了想移动在的一位高管的话说,下一代旗舰芯片组将使用台积电制造的内核,而不是将芯片订单交给三星。此举被认为是必要的,因为三星 Snapdragon 888 上的 5nm 内核引起了发热问题,导致芯​​片巨头台积电被要求帮助修复。

虽然发热问题没有高通之前所面临的那么严重,但这次事件很可能会勾起高通过去遇到的严重旗舰 SoC 发热问题的不太美好的回忆。2015 年,高通公司经历了一个臭名昭著的阶段,当时其基于台积电的旗舰 SoC Snapdragon 810 导致广泛报道严重的 CPU 节流和过热问题。虽然高通继续了最初否认的阶段,但最终还是有太多媒体报道无法忽视。然而,具有讽刺意味的是,骁龙 810 是基于台积电的 20nm 工艺,许多人将其归咎于该芯片组的过热问题。

然而,现在情况似乎发生了变化。三星 5nm 工艺被归咎于高通骁龙 888 的发热和节流问题,一些报道称这是该芯片制造商紧急推出第二款旗舰级芯片的原因之一——7nm 骁龙 870,它几乎对所有人都有好处实际原因。骁龙 895 据说是该公司即将推出的芯片的名称,现在推测其具有在 ARM Cortex v9 上定制的 4nm Kryo 780 内核,以及 X65 5G 调制解调器和 Adreno 730 GPU。

高通还需要专注于更安全的调制解调器平台,据报道该平台存在重大安全漏洞,可能导致重大妥协。它还将关注 AMD 新发布的用于智能手机的 RDNA 图形芯片,该芯片自发布以来就已经引起了很多关注。

郑重声明:本文版权归原作者所有,转载文章仅为传播更多信息之目的,如作者信息标记有误,请第一时候联系我们修改或删除,多谢